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半導體行業研究報告:中泰證券-寬禁帶半導體行業深度:碳化硅與氮化鎵的興起與未來-191021

行業名稱: 半導體行業 股票代碼: 分享時間:2019-10-22 11:44:57
研報欄目: 行業分析 研報類型: (PDF) 研報作者: 劉翔,劉尚
研報出處: 中泰證券 研報頁數: 31 頁 推薦評級: 增持
研報大小: 3,793 KB 分享者: ltp01 我要報錯
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【研究報告內容摘要】

      投資要點
      突破硅的瓶頸,碳化硅、氮化鎵具備性能上的優勢。硅作為集成電路最基礎的材料,構筑了整個信息產業的最底層支撐。人類對硅性能的探索已經非常成熟,然而一些固有的缺點卻無法逾越,如光學性能、高壓高頻性能等。與此同時所謂第三代半導體(寬禁帶半導體)以其恰好彌補硅的不足而逐步受到半導體行業...展開全文>>

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